Opis

• Tytuł:
  Impulsowe wygrzewanie implantowanego arsenku galu = Rapid thermal annealing of imolanted galium arsenide
• Twórca:
  Rosiński Witold
• Opis:
  5-20 s. : il.;
  Bibliogr. s. 19-20
• Dostępność obiektu:
  Dostęp otwarty
• Prawa:
  Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony;
  Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.;
  Otwarty
• Data:
  1996.12.31;
  1996
• Typ:
  tekst;
  artykuł
• Język:
  polski
• Źródło:
  ITME, sygn. dostępny;
  http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5826
• Format:
  application/pdf;
  24 cm.
• Wydawca:
  ITME
• Relacja:
  Materiały Elektroniczne
• Temat i słowa kluczowe:
  Elektronika - czasopismo - materiały;
  Materiały elektroniczne;
  RTA;
  implantacja jonów;
  GaAs
• Dostawca danych:
  Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
• Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
  poproś o pozwolenie
• Rodzaj zawartości:
  pozostałe