Opis

• Tytuł:
  Preparation of a BiTeI polar semiconductor with a strong asymmetric inversion / Andrzej Materna.
• Twórca:
  Materna, Andrzej
• Współtwórca:
  Materna Andrzej
• Opis:
  Bibliogr.: s.23;
  Książka/Rozdział
• Dostępność obiektu:
  Dostęp otwarty
• Prawa:
  Licencja Creative Commons Uznanie autorstwa 4.0;
  Zasób chroniony prawem autorskim. [CC BY 4.0 Międzynarodowe] Korzystanie dozwolone zgodnie z licencją Creative Commons Uznanie autorstwa 4.0, której pełne postanowienia dostępne są pod adresem:;
  Otwarty
• Data:
  2017.12.31;
  2017
• Typ:
  tekst;
  artykuł
• Język:
  angielski
• Źródło: http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_6878
• Format:
  application/pdf;
  A4
• Wydawca:
  ITME
• Relacja:
  Materiały Elektroniczne
• Temat i słowa kluczowe:
  izolator topologiczny;
  związki BiTeX (X= I, Br, Cl)
• Dostawca danych:
  Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
• Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
  poproś o pozwolenie
• Rodzaj zawartości:
  pozostałe