Szczegóły obiektu: High quality gate insulator/GaN interface for enhancement-mode field effect transistor
Instytucja dostarczająca:Polona
Opis
- Tytuł:
- Twórca:
- Współtwórca:
- Opis:
- Dostępność obiektu:
- Prawa:
- Data:
- Język:
- Relacja:
- Dostawca danych:
- Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
- Rodzaj zawartości:
Podobne obiekty
Twórca:Taube, A.
Data:2011
Rodzaj zawartości:pozostałe
Twórca:Taube, A. | Sochacki, M.
Data:2020.04.30
Rodzaj zawartości:obrazy
Twórca:Taube Albert
Rodzaj zawartości:teksty
Czy mogę z tego skorzystać?:poproś o pozwolenie
Twórca:Taube, Johann
Data:1582.12.31 | 1582
Rodzaj zawartości:teksty
Twórca:Taube, M.
Data:2010
Rodzaj zawartości:pozostałe
Twórca:Segal, Taube (1860-?)
Data:5664.07
Rodzaj zawartości:pozostałe
Twórca:Taube, Roman. Kompozytor
Data:1902
Rodzaj zawartości:pozostałe
Twórca:Taube, Gustaw jr
Rodzaj zawartości:teksty
Czy mogę z tego skorzystać?:tak