Federacja Bibliotek Cyfrowych

Strona główna
Dolnośląska Biblioteka Cyfrowa
Dynamika nośników w półprzewodnikowych studniach kwantowych na podłożu z GaAs, emitujących w zakresie bliskiej podczerwieni

Szczegóły obiektu: Dynamika nośników w półprzewodnikowych studniach kwantowych na podłożu z GaAs, emitujących w zakresie bliskiej podczerwieni

tile.noImage

Instytucja dostarczająca:Dolnośląska Biblioteka Cyfrowa

Opis

Tytuł:
Dynamika nośników w półprzewodnikowych studniach kwantowych na podłożu z GaAs, emitujących w zakresie bliskiej podczerwieni
Twórca:
Baranowski, Michał
Współtwórca:
Misiewicz, Jan. (Prom.)
Dostępność obiektu:
Dostęp otwarty
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright);
Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
Data:
2013.12.31;
2013
Typ:
rozprawa doktorska
Język:
pol;
polski;
Polish
Źródło:
<sygn. PWr 372650>;
http://aleph.bg.pwr.wroc.pl/F/?func=find-b&request=000188353&find_code=SYS&local_base=TUR&adjacent=N&x=11&y=7
Format:
application/pdf
Wydawca:
Politechnika Wrocławska
Relacja:
Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Temat i słowa kluczowe:
dynamika nośników;
dynamika fotoluminescencji;
GaAs;
GaAsSb;
GaNAs;
GaInNAs
Dostawca danych:
Dolnośląska Biblioteka Cyfrowa

Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
poproś o pozwolenie
Rodzaj zawartości:
teksty

Podobne obiekty

tile.noImage

Dynamika nośników w półprzewodnikowych studniach kwantowych na podłożu z GaAs, emitujących w zakresie bliskiej podczerwieni

Twórca:Baranowski, Michał

Data:2013.12.31 | 2013

Rodzaj zawartości:teksty

tile.noImage

Designing of GaAs/AlGaAs multiple quantum wells to enhance magnetooptical Kerr effect

Twórca:Bożym, Janusz | Dudziak, Eugeniusz | Pruchnik, Dariusz | Herezo, Krzysztof | Wasilewski, Zbigniew R.

Data:2007.12.31 | 2007

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

(100) GaAs surface treatment prior to contact metal deposition in AlGaAs/GaAs quantum cascade laser processing

Twórca:Papis, Ewa | Barańska, Anna | Karbownik, Piotr | Szerling, Anna | Wójcik-Jedlińska, Anna | Bugajski, Maciej | Rzodkiewicz, Witold | Szade, Jacek | Wawro, Andrzej

Data:2009.12.31 | 2009

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs by means of transmission electron microscopy

Twórca:Rupniewski Wojciech

Data:1976.12.31 | 1976

Rodzaj zawartości:pozostałe

tile.noImage

Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAs1-xPx/GaAs i z monokryształów InP = The methods of specimen preparatio for transmission electron from microscope GaAs1-x Px/GaAs

Twórca:Drabik Wojciech

Data:1983.12.31 | 1983

Rodzaj zawartości:pozostałe

tile.noImage

Układy scalone z arsenku galu = GaAs integrated circuits

Twórca:Marciniak Wiesław

Data:1990.12.31 | 1990

Rodzaj zawartości:pozostałe

tile.noImage

Arsenek galu : z doświadczeniem ku przyszłości = Gallium arsenide: with experience towards future

Twórca:Rosiński Witold

Data:1990.12.31 | 1990

Rodzaj zawartości:pozostałe

tile.noImage

Wyznaczanie wewnętrznej sprawności kwantowej rekombinacji promienistej w monokrystaliczny GaAs z pomiarów fotoluminescencji heterostruktur GaAs-AlxGa1-xAs = Determination of internal quantum efficiency of radiative recombination in GaAs single crystals from photoluminescence measurements of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructures

Twórca:Bugajski Maciej | Jagoda Andrzej | Szymański Leszek

Data:1976.12.31 | 1976

Rodzaj zawartości:pozostałe

Projekt FBC TeNe

Projekt dofinansowany z Funduszy Europejskich w ramach Programu Operacyjnego Polska Cyfrowa na lata 2014-2020 (projekt nr POPC.02.04.00-00-0012/20-00)

Więcej informacji o projekcie znajdziesz na stronie: https://tene.fbc.pionier.net.pl/

Fundusze Europejskie. Polska Cyfrowa

Rzeczpospolita Polska

FBC - Federacja Bibliotek Cyfrowych

Unia Europejska - Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Używamy plików cookies, by nieustannie zwiększać komfort przeglądania naszej strony internetowej. W celu uzyskania szczegółowych informacji, prosimy o zapoznanie się z dokumentem Polityki Prywatności