Opis

• Tytuł:
  Influence of high pressure annealing on electrical properties of surface layer of neutron irradiated or germanium-doped Czochralski-grown silicon
• Twórca:
  Jung, Wojciech;
  Misiuk, Andrzej;
  Londos, Charalambos A.;
  Yang, Deren;
  Antonova, Irina V.;
  Prujszczyk, Marek
• Współtwórca:
  Gaj, Miron. Redakcja;
  Wilk, Ireneusz. Redakcja
• Opis:
  Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3, s. 393-398
• Dostępność obiektu:
  Dostęp otwarty
• Prawa:
  Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright);
  Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
• Data:
  2005.12.31;
  2005
• Typ:
  artykuł
• Język:
  angielski
• Źródło:
  <sygn. PWr A3481II>;
  http://aleph.bg.pwr.wroc.pl/F/?func=find-b&request=000122307+&find_code=SYS&adjacent=N&local_base=TUR&x=64&y=13&filter_code_1=WLN&filter_request_1=&filter_code_2=WYR&filter_request_2=&filter_code_3=WYR&filter_request_3=&filter_code_4=WFT&filter_request_4=&filter_code_5=WSB&filter_request_5= ;http://opticaapplicata.pwr.edu.pl
• Wydawca:
  Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Relacja:
  Optica Applicata;
  Optica Applicata, Vol. 35, 2005;
  Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3;
  Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
• Temat i słowa kluczowe:
  optyka;
  germanium-doped silicon;
  neutron-irradiated silicon;
  defects
• Dostawca danych:
  Dolnośląska Biblioteka Cyfrowa
• Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
  poproś o pozwolenie
• Rodzaj zawartości:
  obrazy