Federacja Bibliotek Cyfrowych

Strona główna
Polona
Physics of THz field-effect transistors

Szczegóły obiektu: Physics of THz field-effect transistors

tile.noImage

Instytucja dostarczająca:Polona

Opis

Tytuł:
Physics of THz field-effect transistors
Twórca:
Łusakowski, J.
Opis:
Materiały konferencyjne: "XIVth International Symposium Ultrafast Phenomena in Semiconductors", Wilno.
Dostępność obiektu:
Dostęp otwarty
Prawa:
Publikacja udostępniona za zgodą wydawcy. Całość ani żadna z jej części nie może być przetwarzana ani wykorzystywana w celach komercyjnych
Data:
2011
Język:
angielski
Relacja:
Acta Physica Polonica. A. - Vol. 119, no. 2 (February 2011), s. 114-116.
Dostawca danych:
Polona

Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
poproś o pozwolenie
Rodzaj zawartości:
pozostałe

Podobne obiekty

tile.noImage

Physics of THz field-effect transistors

Twórca:Łusakowski, J.

Data:2011

Rodzaj zawartości:pozostałe

tile.noImage

THz detectors based on Si-CMOS technology field effect transistors – advantages, limitations and perspectives for THz imaging and spectroscopy

Twórca:Marczewski, J. | Coquillat, D. | Knap, W. | Kolacinski, C. | Kopyt, P. | Kucharski, K. | Lusakowski, J. | Obrebski, D. | Tomaszewski, D. | Yavorskiy, D. | Zagrajek, P. | Ryniec, R. | Palka, N.

Data:2018.09.13

Rodzaj zawartości:obrazy

Projekt FBC TeNe

Projekt dofinansowany z Funduszy Europejskich w ramach Programu Operacyjnego Polska Cyfrowa na lata 2014-2020 (projekt nr POPC.02.04.00-00-0012/20-00)

Więcej informacji o projekcie znajdziesz na stronie: https://tene.fbc.pionier.net.pl/

Fundusze Europejskie. Polska Cyfrowa

Rzeczpospolita Polska

FBC - Federacja Bibliotek Cyfrowych

Unia Europejska - Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Używamy plików cookies, by nieustannie zwiększać komfort przeglądania naszej strony internetowej. W celu uzyskania szczegółowych informacji, prosimy o zapoznanie się z dokumentem Polityki Prywatności