Opis

• Tytuł:
  Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC = Identification of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers
• Twórca:
  Kozubal Michał
• Opis:
  Książka/Rozdział
• Dostępność obiektu:
  Dostęp otwarty
• Prawa:
  Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony;
  Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.;
  Otwarty
• Data:
  2013.12.31;
  2013
• Typ:
  tekst;
  artykuł
• Język:
  polski
• Źródło:
  ITME, sygn. dostępny;
  http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_6404
• Format:
  application/pdf
• Wydawca:
  ITME
• Relacja:
  Materiały Elektroniczne
• Temat i słowa kluczowe:
  defekty punktowe;
  głębokie pułapki;
  napromieniowanie elektronami;
  SiC;
  DLTS
• Dostawca danych:
  Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
• Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
  poproś o pozwolenie
• Rodzaj zawartości:
  pozostałe