Opis

• Tytuł:
  Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE) = InGaAs/InP heterostructures made using metalorganic vapor phase epitaxy
• Twórca:
  Jasik Agata
• Współtwórca:
  Strupiński Włodzimierz;
  Kosiel Kamil
• Opis:
  47-58 s. : il.;
  Bibliogr. s. 57-58
• Dostępność obiektu:
  Dostęp otwarty
• Prawa:
  Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony;
  Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.;
  Otwarty
• Data:
  1998.12.31;
  1998
• Typ:
  tekst;
  artykuł
• Język:
  polski;
  pol
• Źródło:
  ITME, sygn. dostępny;
  http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5881
• Format:
  application/pdf;
  24 cm.
• Wydawca:
  ITME
• Relacja:
  Materiały Elektroniczne
• Temat i słowa kluczowe:
  Elektronika - czasopismo - materiały;
  Materiały elektroniczne;
  heterostruktura;
  MOVPE;
  InP/InGaAs
• Dostawca danych:
  Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
• Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
  poproś o pozwolenie
• Rodzaj zawartości:
  pozostałe