Description

• Tytuł:
  Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE) = InGaAs/InP heterostructures made using metalorganic vapor phase epitaxy
• Twórca:
  Jasik Agata
• Współtwórca:
  Strupiński Włodzimierz;
  Kosiel Kamil
• Opis:
  Bibliogr. s. 57-58
• Dostępność obiektu:
  free access
• Prawa:
  Rights Reserved - Free Access;
  Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms;
  Open
• Data:
  1998.12.31;
  1998
• Typ:
  Text;
  Article
• Język:
  Polish;
  pol
• Źródło:
  ITME, sygn. dostępny;
  http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5881
• Format:
  application/pdf
• Wydawca:
  ITME
• Relacja:
  Electronic Materials
• Temat i słowa kluczowe:
  heterostructure;
  MOVPE;
  In/InGaAs;
  Electronic - materials;
  Electronic - journal - materials
• Dostawca danych:
  Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
• Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
  seek permission
• Rodzaj zawartości:
  other