Federacja Bibliotek Cyfrowych

Strona główna
Biblioteka Cyfrowa UMCS
Pressure influence of some residual gases on the sputtering rate of Si

Szczegóły obiektu: Pressure influence of some residual gases on the sputtering rate of Si

tile.noImage

Instytucja dostarczająca:Biblioteka Cyfrowa UMCS

Opis

Tytuł:
Pressure influence of some residual gases on the sputtering rate of Si
Twórca:
Sowa, Marek (1944- ).;
Meldizon, Jerzy (1927- ).;
Żuk, Włodzimierz (1916-1981).;
Mazurek, Adam (chemik).
Współtwórca:
Meldizon, Jerzy (1927- ).;
Żuk, Włodzimierz (1916-1981).;
Mazurek, Adam (chemik).
Opis:
Tytuł nagłówkowy.;
Bibliografia na stronie 47.;
Streszczenie w języku polskim, rosyjskim.;
artykul w: Annales Universitatis Mariae Curie-Skłodowska. Sectio AAA, Physica Vol. 34/35, 6 (1979/1980), strony 41-48;
tytul rownolegly: Wpływ ciśnienia resztkowych gazów na szybkość rozpylania krzemu;
tytul rownolegly: Vliânie davleniâ ostatočnyh gazov na skorostʹ raspyleniâ kremniâ
Dostępność obiektu:
Dostęp otwarty
Prawa:
domena publiczna
Data:
1979 - 1980
Typ:
artykuł
Język:
angielski
Źródło:
Zasoby Biblioteki Głównej UMCS
Format:
application/pdf
Wydawca:
UMCS
Relacja:
Annales Universitatis Mariae Curie-Skłodowska. Sectio AAA, Physica Vol. 34/35, 6 (1979/1980), strony 41-48
Temat i słowa kluczowe:
fizyka
Dostawca danych:
Biblioteka Cyfrowa UMCS

Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
tak
Rodzaj zawartości:
obrazy

Podobne obiekty

tile.noImage

Pressure influence of some residual gases on the sputtering rate of Si

Twórca:Sowa, Marek (1944- ). | Meldizon, Jerzy (1927- ). | Żuk, Włodzimierz (1916-1981). | Mazurek, Adam (chemik).

Data:1979 - 1980

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

Zależność szybkości rozpylania jonowego Si, poli-Si i SiO2 od temperatury

Twórca:Sielanko, Juliusz (1938- ). | Sowa, Marek (1944- ). | Meldizon, Jerzy (1927- ). | Żuk, Włodzimierz (1916-1981). | Skrzypiec, Anna (fizyka).

Data:1978

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

Apparatus for secondary ion emission investigation from the steel surface bombarded by A+ ions with the energy 1 KeV

Twórca:Meldizon, Jerzy (1927- ). | Sowa, Marek (1944- ). | Górniak, Waldemar.

Data:1987

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

Zastosowanie metody aktywacji neutronowej w badaniach rozkładu arsenu implantowanego do krzemu

Twórca:Sielanko, Juliusz (1938- ). | Sowa, Marek (1944- ). | Szyszko, Witold. | Żuk, Włodzimierz (1916-1981).

Data:1978

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

Diffusion phosphorus and arsenic ions implanted into mono- and polycristalline-Si

Twórca:Youssef, Abdallah A. | Sowa, Marek (1944- ). | Sielanko, Juliusz (1938- ). | Żuk, Włodzimierz (1916-1981).

Data:1981 - 1982

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

Badanie składu mieszanin węglowodorów przy pomocy spektrometru masowego = Jssledovanie sostava smesi uglevodorodov pri pomoŝi massovogo spektrometra = Mass spectrometer study of some hydrocarbon mixtures

Twórca:Żuk, Włodzimierz (1916-1981).

Data:1951

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

Pomiary czasu separacji izotopów ziem rzadkich przy zastosowaniu termoemisyjnego źródła jonów

Twórca:Żuk, Włodzimierz (1916-1981). | Mączka, Dariusz (1933- ). | Latuszyński, Andrzej.

Data:1974 - 1975

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

An isotopic analysis of potassium and rubidium using a thermal ionization source = Analiza izotopowa potasu i rubidu przy zastosowaniu źródła jonów pracującego na zasadzie termoemisji jonowej = Izotopičeskij analiz kaliâ i rubidiâ s primeneniem termoionnogo istočnika

Twórca:Żuk, Włodzimierz (1916-1981). | Gładyszewski, Longin (1935- ). | Zinkiewicz, Janusz.

Data:1961

Rodzaj zawartości:obrazy

Projekt FBC TeNe

Projekt dofinansowany z Funduszy Europejskich w ramach Programu Operacyjnego Polska Cyfrowa na lata 2014-2020 (projekt nr POPC.02.04.00-00-0012/20-00)

Więcej informacji o projekcie znajdziesz na stronie: https://tene.fbc.pionier.net.pl/

Fundusze Europejskie. Polska Cyfrowa

Rzeczpospolita Polska

FBC - Federacja Bibliotek Cyfrowych

Unia Europejska - Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Używamy plików cookies, by nieustannie zwiększać komfort przeglądania naszej strony internetowej. W celu uzyskania szczegółowych informacji, prosimy o zapoznanie się z dokumentem Polityki Prywatności