Szczegóły obiektu: Badanie kinetyki wzrostu heterostruktur In_y Ga_1-y As_1-x N_x /GaAs przeznaczonych do konstrukcji przyrządów optoelektronicznych

Podobne obiekty

tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
Używamy plików cookies, by nieustannie zwiększać komfort przeglądania naszej strony internetowej. W celu uzyskania szczegółowych informacji, prosimy o zapoznanie się z dokumentem Polityki Prywatności