Opis

• Tytuł:
  Optical and electrical characterization of reverse bias luminescence in InGaN light emitting diodes
• Twórca:
  Chen, Hsiang;
  Kao, Chyuan-Haur;
  Lu, Tien-Chang;
  Shei, Shih-Chang
• Współtwórca:
  Gaj, Miron. Redakcja;
  Urbańczyk, Wacław. Redakcja
• Opis:
  Optica Applicata, Vol. 41, 2011, Nr 1, s. 195-205
• Dostępność obiektu:
  Dostęp otwarty
• Prawa:
  Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright);
  Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
• Data:
  2011.12.31;
  2011
• Typ:
  artykuł
• Język:
  angielski
• Źródło:
  <sygn. PWr A3481II>;
  http://aleph.bg.pwr.wroc.pl/F/?func=find-b&request=000122307+&find_code=SYS&adjacent=N&local_base=TUR&x=64&y=13&filter_code_1=WLN&filter_request_1=&filter_code_2=WYR&filter_request_2=&filter_code_3=WYR&filter_request_3=&filter_code_4=WFT&filter_request_4=&filter_code_5=WSB&filter_request_5= ;http://opticaapplicata.pwr.edu.pl
• Format:
  application/pdf
• Wydawca:
  Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Relacja:
  Optica Applicata;
  Optica Applicata, Vol. 41, 2011;
  Optica Applicata, Vol. 41, 2011, Nr 1;
  Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
• Temat i słowa kluczowe:
  optyka;
  GaN LED;
  electroluminescence at reverse bias;
  reverse-bias;
  leakage current;
  hot carrier
• Dostawca danych:
  Dolnośląska Biblioteka Cyfrowa
• Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
  poproś o pozwolenie
• Rodzaj zawartości:
  obrazy