Szczegóły obiektu: The influence of quantum well and barrier thicknesses on photoluminescence spectra of InGaAs/AlInAs superlattices grown by LP-MOVPE

Podobne obiekty

tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
Używamy plików cookies, by nieustannie zwiększać komfort przeglądania naszej strony internetowej. W celu uzyskania szczegółowych informacji, prosimy o zapoznanie się z dokumentem Polityki Prywatności