Szczegóły obiektu: Analiza elektrycznych własności struktur MIS na bazie GaAs oraz Si w oparciu o metodę spektroskopii impedancyjnej

Podobne obiekty

tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
Używamy plików cookies, by nieustannie zwiększać komfort przeglądania naszej strony internetowej. W celu uzyskania szczegółowych informacji, prosimy o zapoznanie się z dokumentem Polityki Prywatności