Szczegóły obiektu: Influence of a charge region on the operation of InGaAs/InAlAs/InP avalanche photodiodes

Podobne obiekty

tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
Używamy plików cookies, by nieustannie zwiększać komfort przeglądania naszej strony internetowej. W celu uzyskania szczegółowych informacji, prosimy o zapoznanie się z dokumentem Polityki Prywatności