Federacja Bibliotek Cyfrowych

Strona główna
Dolnośląska Biblioteka Cyfrowa
Optimisation of LT-GaN nucleation layer growth conditions for the improvement of electrical and optical parameters of GaN layers

Szczegóły obiektu: Optimisation of LT-GaN nucleation layer growth conditions for the improvement of electrical and optical parameters of GaN layers

tile.noImage

Instytucja dostarczająca:Dolnośląska Biblioteka Cyfrowa

Opis

Tytuł:
Optimisation of LT-GaN nucleation layer growth conditions for the improvement of electrical and optical parameters of GaN layers
Twórca:
Wośko, Mateusz
Współtwórca:
Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Opis:
Optica Applicata, Vol. 49, 2019, nr 1, s. 167-176
Dostępność obiektu:
Dostęp otwarty
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright);
Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
Data:
2019.12.31;
2019
Typ:
artykuł
Język:
eng;
angielski;
English
Źródło:
<sygn. PWr A3481II>;
http://aleph.bg.pwr.wroc.pl/F/?func=find-b&request=000122307+&find_code=SYS&adjacent=N&local_base=TUR&x=64&y=13&filter_code_1=WLN&filter_request_1=&filter_code_2=WYR&filter_request_2=&filter_code_3=WYR&filter_request_3=&filter_code_4=WFT&filter_request_4=&filter_code_5=WSB&filter_request_5= ;http://opticaapplicata.pwr.edu.pl
Wydawca:
Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Relacja:
Optica Applicata;
Optica Applicata, Vol. 49, 2019;
Optica Applicata, Vol. 49, 2019, nr 1;
Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Temat i słowa kluczowe:
optyka;
GaN;
nucleation;
recrystallization;
metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD);
nitrides;
LED;
MSM;
MESFET devices
Identyfikator: DOI: 10.5277/oa190115
Dostawca danych:
Dolnośląska Biblioteka Cyfrowa

Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
poproś o pozwolenie
Rodzaj zawartości:
obrazy

Podobne obiekty

tile.noImage

Optimisation of LT-GaN nucleation layer growth conditions for the improvement of electrical and optical parameters of GaN layers

Twórca:Wośko, Mateusz

Data:2019.12.31 | 2019

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

Chemical analysis of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures

Twórca:Macherzyński, Wojciech | Indykiewicz, Kornelia | Paszkiewicz, Bogdan

Data:2013.12.31 | 2013

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

Electroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature

Twórca:Veleschuk, Vitaly | Vlasenko, Alexander | Kisselyuk, Maxim | Vlasenko, Zoya | Khmil, Denis | Borshch, Vladimir

Data:2015.12.31 | 2015

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

Influence of AlN spacer on the properties of AlGaN/AlN/GaN heterostructures

Twórca:Wośko, Mateusz | Paszkiewicz, Bogdan | Paszkiewicz, Regina | Tłaczała, Marek

Data:2013.12.31 | 2013

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

Influence of high Al fraction on reactive ion etching of AlGaN/GaN heterostructures

Twórca:Gryglewicz, Jacek | Stafiniak, Andrzej | Wośko, Mateusz | Prażmowska, Joanna | Paszkiewicz, Bogdan

Data:2013.12.31 | 2013

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate

Twórca:Wójcik Marek

Data:2012.12.31 | 2012

Rodzaj zawartości:pozostałe

tile.noImage

Ultraviolet-sensitive, visible-blind GaN detectors grown by MOCVD epitaxy

Twórca:Korona Krzysztof

Data:1997.12.31 | 1997

Rodzaj zawartości:pozostałe

tile.noImage

Investigation of deep defects using generation-recombination noise

Twórca:Gislason, Haflidi P. | Seghier, Djelloul

Data:2006.12.31 | 2006

Rodzaj zawartości:obrazy

Projekt FBC TeNe

Projekt dofinansowany z Funduszy Europejskich w ramach Programu Operacyjnego Polska Cyfrowa na lata 2014-2020 (projekt nr POPC.02.04.00-00-0012/20-00)

Więcej informacji o projekcie znajdziesz na stronie: https://tene.fbc.pionier.net.pl/

Fundusze Europejskie. Polska Cyfrowa

Rzeczpospolita Polska

FBC - Federacja Bibliotek Cyfrowych

Unia Europejska - Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Używamy plików cookies, by nieustannie zwiększać komfort przeglądania naszej strony internetowej. W celu uzyskania szczegółowych informacji, prosimy o zapoznanie się z dokumentem Polityki Prywatności