Szczegóły obiektu: Carrier concentration and in-plane mobility in both non-intentionally and Si-doped InAsSb and InAs/InAsSb type-II superlattice materials for space-based infrared detectors

Podobne obiekty

tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
Używamy plików cookies, by nieustannie zwiększać komfort przeglądania naszej strony internetowej. W celu uzyskania szczegółowych informacji, prosimy o zapoznanie się z dokumentem Polityki Prywatności