Szczegóły obiektu: Impact of residual doping on surface current of InGaAs/InP photodiode passivated with regrown InP

Podobne obiekty

tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
Używamy plików cookies, by nieustannie zwiększać komfort przeglądania naszej strony internetowej. W celu uzyskania szczegółowych informacji, prosimy o zapoznanie się z dokumentem Polityki Prywatności