Federacja Bibliotek Cyfrowych

Strona główna
Dolnośląska Biblioteka Cyfrowa
Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces

Szczegóły obiektu: Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces

tile.noImage

Instytucja dostarczająca:Dolnośląska Biblioteka Cyfrowa

Opis

Title:
Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces
Creator:
Miczek, Marcin;
Adamowicz, Bogusława;
Hashizume, Tamotsu;
Hasegawa, Hideki
Contributor:
Gaj, Miron. Redakcja;
Wilk, Ireneusz. Redakcja
Description:
Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3, s. 355-361
Object availability:
Dostęp otwarty
Rights:
Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright);
Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
Date:
2005.12.31;
2005
Type:
artykuł
Language:
angielski
Source:
<sygn. PWr A3481II>;
http://aleph.bg.pwr.wroc.pl/F/?func=find-b&request=000122307+&find_code=SYS&adjacent=N&local_base=TUR&x=64&y=13&filter_code_1=WLN&filter_request_1=&filter_code_2=WYR&filter_request_2=&filter_code_3=WYR&filter_request_3=&filter_code_4=WFT&filter_request_4=&filter_code_5=WSB&filter_request_5= ;http://opticaapplicata.pwr.edu.pl
Publisher:
Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Relation:
Optica Applicata;
Optica Applicata, Vol. 35, 2005;
Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3;
Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Subject:
optyka;
gallium arsenide;
gallium nitride;
surface states;
bulk traps;
photoluminescence;
surface photovoltage
Data provider:
Dolnośląska Biblioteka Cyfrowa

Can I use it?:
poproś o pozwolenie
Type:
obrazy

Podobne obiekty

tile.noImage

Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces

Twórca:Miczek, Marcin | Adamowicz, Bogusława | Hashizume, Tamotsu | Hasegawa, Hideki

Data:2005.12.31 | 2005

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

Characterization of electronic properties of InP(100) surfaces from computer-aided analysis of photoluminescence

Twórca:Miczek, Marcin | Adamowicz, Bogusława | Hasegawa, Hideki

Data:2002.12.31 | 2002

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

Capacitance-voltage and Auger chemical profile studies on AlGaN/GaN structures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx/Si3N4 bilayers

Twórca:Adamowicz, Bogusława | Miczek, Marcin | Hashizume, Tamotsu | Klimasek, Andrzej | Bobek, Piotr | Żywicki, Janusz

Data:2007.12.31 | 2007

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

Recenzja rozprawy doktorskiej mgra inż. Wojciecha Filipowskiego pt. Opracowanie i weryfikacja modelu wspomagającego proces projektowania domieszkowania dyfuzyjnego emiterowej warstwy ogniwa fotowoltaicznego

Twórca:Adamowicz, Bogusława

Data:2009.12.31 | 2009

Rodzaj zawartości:pozostałe

tile.noImage

Recenzja rozprawy doktorskiej mgra inż. Piotra Szperlicha pt. Otrzymywanie oraz własności etanożelu SbSI

Twórca:Adamowicz, Bogusława

Data:2006.12.31 | 2006

Rodzaj zawartości:pozostałe

tile.noImage

Electronic properties of III-V semiconductor surfaces from computer-aided photoluminescence efficiency studies

Twórca:Miczek, Marcin

Data:2003.12.31 | 2003

Rodzaj zawartości:teksty

tile.noImage

Computer analysis of oxygen adsorption at SnO2 thin films

Twórca:Izydorczyk, Weronika | Adamowicz, Bogusława

Data:2007.12.31 | 2007

Rodzaj zawartości:obrazy

tile.noImage

Zastosowanie metody fotonapięcia powierzchniowego do badań powierzchni półprzewodników

Twórca:Adamowicz, Bogusława | Kochowski, Stanisław

Data:1989.12.31 | 1989

Rodzaj zawartości:obrazy

Projekt FBC TeNe

Projekt dofinansowany z Funduszy Europejskich w ramach Programu Operacyjnego Polska Cyfrowa na lata 2014-2020 (projekt nr POPC.02.04.00-00-0012/20-00)

Więcej informacji o projekcie znajdziesz na stronie: https://tene.fbc.pionier.net.pl/

Fundusze Europejskie. Polska Cyfrowa

Rzeczpospolita Polska

FBC - Federacja Bibliotek Cyfrowych

Unia Europejska - Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Używamy plików cookies, by nieustannie zwiększać komfort przeglądania naszej strony internetowej. W celu uzyskania szczegółowych informacji, prosimy o zapoznanie się z dokumentem Polityki Prywatności