Opis

• Tytuł:
  Capacitance-voltage and Auger chemical profile studies on AlGaN/GaN structures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx/Si3N4 bilayers
• Twórca:
  Adamowicz, Bogusława;
  Miczek, Marcin;
  Hashizume, Tamotsu;
  Klimasek, Andrzej;
  Bobek, Piotr;
  Żywicki, Janusz
• Współtwórca:
  Gaj, Miron. Redakcja;
  Urbańczyk, Wacław. Redakcja
• Opis:
  Optica Applicata, Vol. 37, 2007, nr 4, s. 327-334
• Dostępność obiektu:
  Dostęp otwarty
• Prawa:
  Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright);
  Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
• Data:
  2007.12.31;
  2007
• Typ:
  artykuł
• Język:
  angielski
• Źródło:
  <sygn. PWr A3481II>;
  http://aleph.bg.pwr.wroc.pl/F/?func=find-b&request=000122307+&find_code=SYS&adjacent=N&local_base=TUR&x=64&y=13&filter_code_1=WLN&filter_request_1=&filter_code_2=WYR&filter_request_2=&filter_code_3=WYR&filter_request_3=&filter_code_4=WFT&filter_request_4=&filter_code_5=WSB&filter_request_5= ;http://opticaapplicata.pwr.edu.pl
• Format:
  application/pdf
• Wydawca:
  Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Relacja:
  Optica Applicata;
  Optica Applicata, Vol. 37, 2007;
  Optica Applicata, Vol. 37, 2007, nr 4;
  Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
• Temat i słowa kluczowe:
  optyka;
  gallium nitride;
  HEMT;
  insulated gate;
  passivation;
  C-V;
  Auger spectroscopy;
  chemical in-depth profiles
• Dostawca danych:
  Dolnośląska Biblioteka Cyfrowa
• Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
  poproś o pozwolenie
• Rodzaj zawartości:
  obrazy