Description

• Tytuł:
  Magnetic field sensors based on undoped In0.53Ga0.47As/InP heterostructures fabricated by molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition
• Twórca:
  Przesławski, Tomasz;
  Wolkenberg, Andrzej;
  Kaniewski, Janusz;
  Regiński, Kazimierz;
  Jasik, Agata
• Współtwórca:
  Gaj, Miron. Redakcja;
  Wilk, Ireneusz. Redakcja
• Opis:
  Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3, s. 627-634
• Dostępność obiektu:
  free access
• Prawa:
  Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright);
  Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
• Data:
  2005.12.31;
  2005
• Typ:
  artykuł
• Język:
  eng;
  angielski;
  English
• Źródło:
  <sygn. PWr A3481II>;
  http://aleph.bg.pwr.wroc.pl/F/?func=find-b&request=000122307+&find_code=SYS&adjacent=N&local_base=TUR&x=64&y=13&filter_code_1=WLN&filter_request_1=&filter_code_2=WYR&filter_request_2=&filter_code_3=WYR&filter_request_3=&filter_code_4=WFT&filter_request_4=&filter_code_5=WSB&filter_request_5= ;http://opticaapplicata.pwr.edu.pl
• Wydawca:
  Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
• Relacja:
  Optica Applicata;
  Optica Applicata, Vol. 35, 2005;
  Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3;
  Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
• Temat i słowa kluczowe:
  optyka;
  Hall sensors;
  magnetoresistors;
  InGaAs/InP heterostructures;
  electronic transport;
  geometric correction factor;
  molecular beam epitaxy (MBE);
  metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
• Dostawca danych:
  Dolnośląska Biblioteka Cyfrowa
• Czy mogę z tego obiektu skorzystać?:
  seek permission
• Rodzaj zawartości:
  image