Szczegóły obiektu: Magnetic field sensors based on undoped In0.53Ga0.47As/InP heterostructures fabricated by molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition

Podobne obiekty

tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
tile.noImage
Używamy plików cookies, by nieustannie zwiększać komfort przeglądania naszej strony internetowej. W celu uzyskania szczegółowych informacji, prosimy o zapoznanie się z dokumentem Polityki Prywatności